光学二维半导体材料在低阈值片上激光方面重要的应用潜力。此报告将讨论在二维发光半导体材料（以InSe为代表）的激射物性与调控的研究结果，主要包括：1）观测到无外腔下InSe材料的室温激射，揭示激射来源于激子-激子散射过程（P带发射），获得激射增益与激发功率变化关系曲线；2）发现InSe具有非常强的激子-激子散射作用，结合光学微腔技术，实现了室温连续光泵浦的窄线宽、非线性P带发射；3）利用金刚石对顶砧静水压调控技术，实现对InSe自发辐射和荧光激射185 nm和111 nm的超宽光谱调控，揭示该电子带隙变化主要源于面内In-Se键的压缩畸变；4）发现InSe材料中随层厚变化的压力调控发光行为，揭示在薄层材料中金刚石-InSe界面粘附力克服面内In-Se键的压缩，使得材料展现出单轴应变的行为。
参考文献
[1] C. Li, and Q. Zhang* et al, ACS Nano 16, 1477-1485 (2022);
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