报告题目

GaInAsSb低维材料与光电器件研究进展

报 告 人

牛智川 研究员, 中科院半导体所

报告地点

物理楼 中212

报告时间

9月25日下午3:10-5:00

联 系 人

龚旗煌（65884，52882）

报告摘要

报告主要介绍新型GaInAsSb半导体低维材料的分子束外延生长、及其光电器件和量子光源器件制备研究的最新进展。采用独创的外延技术突破了低密度、近红外发光的InAs/GaAs自组织量子点材料的生长难题，制备成功液氮温度下电驱动量子点单光子发射器件；通过将InAs量子点埋入纳米线中获得高品质的单光子源；观察到孤立量子点单光子的相干现象。优化设计了InGaAsSb/AlInGaAsSb量子阱结构，实现了2-3.5微米波段中红外量子阱并制备成功室温工作激光器。克服了InAs/GaSb超晶格界面As、Sb互混和应力补偿控制难题，生长出高质量超晶格材料并制备成功中长波红外探测器。

牛智川，中科院半导体所研究员，博士生导师。中国科学院“百人计划”、“国家杰出青年科学基金”、“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、国家973重大研究计划首席科学家。近年来在InAs/GaAs自组织量子点材料与单光子发射器件、InGaAsN/GaAs 量子阱材料与近红外激光器和探测器、InAs/GaSb II类超晶格材料与激光和探测器件研究方面开展了一系列深入系统的研究工作。在Nature，PRL、Nano Lett、APL, PRB等发表论文200多篇。被他引1000余次。曾获国家自然科学二等奖、北京市科学技术二等奖等。指导的多名研究生获得中科院院长优秀奖、冠名奖、国家优秀留学生奖等。