报告题目

Piezotronic and piezo-phototronic effect in GaN

报 告 人

胡卫国 研究员

中国科学院纳米能源与系统研究所

报告地点

3教208教室

报告时间

2016年10月12日 (星期三) 16:30-18:00

联 系 人

胡小永 (Tel: 62768705)

报告摘要

In piezo-phototronic effect, with the quantum perturbation theory and constitutive equations, we studied optical excitation in InGaN/GaN quantum well under the various external stress field. This model was further developed to study the carrier dynamic process and was verified with the time-resolved photoluminescence. The piezoelectric field was partly “canceled”, which increased the overlap of wavefunctions to decrease the carrier decay time. This strain compensation mechanism was used to achieve the ultra-high speed visual light communication system.

报告人简介：胡卫国，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员。2007年毕业于中国科学院半导体研究所，同年于日本三重大学(Mie Univ.)开展氮化物材料生长和功率器件研制的研究。2009年于神户大学(Kobe Univ.)开展GaAs量子点太阳能电池的研究。2011年任东北大学(Tohoku Univ.)助理教授，从事新能源材料与器件的研究。2013年8月于中国科学院北京纳米能源与系统研究所从事光电子材料和器件的研究。迄今为止，在Adv.Mater, Adv.Energy.Mater., ACS Nano, Prog. Photovoltaics.学术期刊发表SCI/EI论文50余篇，在IEDM等40多个学术会议上报告研究成果。2013年入选北京市海聚工程，2014年入选中科院百人计划。