报告题目

高速铌酸锂薄膜电光调制器芯片

报 告 人

蔡鑫伦，中山大学电子信息工程学院

报告地点

物理楼中楼212

报告时间

2020年10月14日（周三）下午 15:10-18:00

联 系 人

王剑威(62758257)

报告摘要

在5G、物联网、虚拟现实、人工智能等新一代信息技术推动下，宽带化浪潮席卷全球，信息容量在过去十年中呈指数增长，光通信网络的带宽和能耗面临着巨大压力。电光调制器是实现信息光电转换的核心器件，也是突破带宽和能耗两大技术挑战的关键一环。大带宽，低功耗、低损耗、小型化的新型电光调制器芯片是全面取代传统铌酸锂晶体器件的变革性技术，是世界各国集中攻关的核心技术之一。本报告主要介绍报告人及所在团队近年来在铌酸锂薄膜电光调制器方面的若干进展，包括：1）高速低功耗铌酸锂薄膜调制器芯片；2）高速低功耗硅与铌酸锂异质集成调制器等。

报告人简介：

蔡鑫伦，中山大学教授，本科毕业于华中科技大学，2012年于英国布里斯托尔大学（Bristol University）电子工程系获得博士学位。2014年回国加入中山大学电子信息工程学院，2016年获得国家自然科学基金委优秀青年基金资助，2019年作为项目负责人牵头成功立项科技部重点研发计划项目。