报告题目

半导体点缺陷性质的第一性原理模拟

报 告 人

康俊 特聘研究员，北京计算科学研究中心

报告地点

腾讯会议ID：342-260-935

报告时间

2021年12月15日(星期三) 15:10-18:00

联 系 人

高宇南(Tel: 62760310)

报告摘要

   半导体材料中的各类缺陷会对其物理性质产生显著的影响。深入理解材料中的缺陷特性对于半导体器件的性能优化具有重要的意义。经过多年的发展，基于密度泛函理论的第一性原理方法已经成功地应用于半导体缺陷特性的模拟。这使得人们可以对缺陷的类型、浓度、能级位置、载流子俘获系数等关键参数进行准确定量的预测，并从原子级微观尺度对相关物理过程的机理进行理解。本次报告主题为半导体点缺陷的第一性原理计算模拟研究。报告将分为两部分。第一部分介绍半导体点缺陷关键特性计算（如形成能、离化能等）的基本理论和方法。第二部分将主要以卤族钙钛矿半导体为例，介绍缺陷模拟在理解半导体材料物理性质及半导体器件性能优化方面所发挥的重要作用。

报告人简介

康俊，北京计算科学研究中心特聘研究员。2009年本科毕业于厦门大学，2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所，2014-2019年先后在比利时安特卫普大学和美国劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究。2019年入选国家级青年人才计划项目，并加入北京计算科学研究中心工作。主要从事新型半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究，包括能带调控机制、缺陷和杂质、输运特性和激发态等。目前在Nat. Mater.、Nat.Commun.、Nano Lett.、PRB等期刊发表论文70余篇，引用6000余次，入选爱思唯尔2020中国高被引学者。曾获2017年度国家自然科学二等奖（第三完成人）。