报告题目

硅基InAs/GaAs量子点激光器

报 告 人

张建军 研究员

中国科学院物理研究所

报告地点

腾讯会议ID：585-689-803

报告时间

2022年12月7日 (星期三) 15:10-18:00

联 系 人

许秀来(Tel: 62750683)

报告摘要

缺少单片集成硅基激光器是硅基光电融合的瓶颈。硅衬底上直接外延生长InAs/GaAs量子点激光器是解决这一难题的重要方案。通过同质外延在硅图形化衬底上构筑具有孔洞的V型结构，我们有效克服了硅上生长GaAs存在晶格失配、极性失配和热失配的难题。本报告将介绍我们在硅基直接外延生长高质量GaAs材料及系列硅基、SOI基InAs/GaAs量子点激光器方面的研究进展。

报告人

简介

张建军，中科院物理所研究员，国家杰出青年基金获得者，中科院纳米物理与器件重点实验室主任。主要从事硅基异质材料外延与器件研究，包括硅基砷化物和硅基锗材料以及光电、量子器件研究，在重要学术期刊发表SCI论文70多篇，近年承担基金委重点、科技部、中科院及地方和知名公司等多个纵向、横向项目。